据Tom's Hardware报道,美光宣布其HBM3 Gen 2内存正在向客户提供样品。美光称其HBM3 Gen 2内存是世界上速度最快的,具有1.2TB/s 的聚合带宽,8高堆叠容量为24GB。未来还有12高堆叠版本,容量可达36GB。美光称其新内存是最节能的,与该公司上一代HBM2E相比,每瓦性能是上代的2.5倍。据介绍,美光的全新HBM3 Gen 2内存采用八个堆叠芯片,与其他8高HBM3内存相比,容量增加了50%。此外,美光的新型内存也适用于与标准HBM3相同的11mmx11mm封装,与现有HBM3引脚兼容,更换内存也相对容易。美光还公布了最新的内存路线图,图中标注了「HBMNext」内存,推出的时间点为2026年左右,容量可达36-64GB,可提供2+TB/s带宽。
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