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三星将在年底推200+层NAND闪存

2022-02-10
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据韩媒BusinessKorea报道，三星电子计划2021年底量产176层NAND Flash闪存，但考虑到实际市况，最后决定延后到2022年第一季。但美商存储大厂美光抢先量产176层NAND Flash闪存，市场人士预测，三星将加速200层以上NAND Flash闪存量产步伐，以夺回美光抢走的技术领先头衔。

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预计三星128层单片存储再叠96层，共推出224层NAND Flash闪存，与176层产品相较，224层NAND Flash闪存生产效率和数据传输速度可提高30%。
目前除了三星积极布局200层以上NAND Flash闪存，其他还有美光和SK海力士也在加速200层以上NAND Flash闪存开发，预计这将是另一个NAND Flash闪存的决战领域。

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