生成式AI需求爆发，带动HBM供不应求，国际三大DRAM原厂加码增产HBM进而挤压DRAM产能，台湾厂商获得发展良机。

包括南亚科、华邦电、爱普、钰创等布局路线各有不同，从瞄准云端服务器到推动边缘AI应用落地，预计2024年酝酿进入AI战场的练兵期，看好未来AI增长动能逐步显现。

相较于国际三大原厂包括三星电子、SK海力士及美光均采取1α或1β nm生产HBM，台湾厂商的制程开发技术仍落后2-3个世代。

南亚科选择“先走得好，再跑得快，最后才是飞”，积极推进3D堆叠技术，开发高密度RDIMM产品，目标锁定在云端服务器等大厂客户。

总经理李培瑛指出，HBM目前产品溢价较高，确实厂商的营收会有贡献，营收贡献约达10%，但占据全球DRAM位元数仅约2%，以南亚科在全球DRAM市占率约2%来说，现阶段不见得适合南亚科投入大量资源去争夺。

至于高密度的RDIMM产品，具有效能佳，比HBM市场规模要大5倍，估计约有10%渗透率，由于AI运算需要很多数据，但不见得所有服务器都需要採用价格昂贵的HBM，而RDIMM目前也具有数倍的溢价优势，因应南亚科推动自主开发与研发，通过3D IC技术及TSV堆叠技术进行搭配，较适合南亚科去练兵布局。

虽然三大厂也有供应RDIMM，但以服务器端市况来看，RDIMM的采用比重已经达3成，是最大应用市场。

南亚科预计，8Gb DDR4与16Gb DDR5产品在2024年导入生产，预期2024年底1B制程的月产能有机会推展到1.6万-2万片，TSV机台在2024年底导入后，高密度RDIMM将力拼2025年第3季、第4季前量产。

华邦电2024年第2季将进行20nm制程升级，并推出4Gb DDR4新产品，华邦电目前全力投入AI的定制化超高频宽元件（CUBE）方案，将定制DRAM整合到3D封装中，开发边缘运算AI商机，最快在年底开始出货，部分客户也可能选择采购中介层。

同时，因应AI需求及先进制程需求，华邦电正规划下一世代DRAM制程，直接跳级朝向16nm制程发展。

至于NOR Flash虽然没有直接与AI运算相关，但AI服务器对NOR flash的需求消耗也将大幅提高，例如AI绘图卡增加，带动终端装置将增加40-60颗NOR Flash，搭配网管卡等周边配备也需要采用NOR。

而边缘AI应用如PC或手机也将需要额外NOR Flash，在整体NOR Flash产能没有显著增加下，很多新增的需求正持续酝酿中。

设计厂爱普近年来推动VHM 3D整合专案研发，并与力积电合作开发3D封装堆叠技术备受关注，产品预计最快下半年就会问世。

据传，双方合作开发的中介层产品，目前正进入美系IDM大厂认证阶段，而VHM可望获得欧美客户开发新案，借由VHM技术来提升AI芯片效能，爱普指出，2024年AI开案量持续增加，将对营运带来正面贡献。

钰创则开发MemoraiLink的高效AI存储器平台，具有同／异质整合，将AI、专精型DRAM、存储器控制IP以及封装技术进行整合，能确保SoC和存储器之间的运作流畅。

钰创将争取中型规模客户，通过提供完整存储器解决相关方案，对方只需确认规格，将有效缩短新品上市时间，达到成本最佳化，最快从2024年下半陆续出货。

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