欢迎！请登录
登录 注册

SK海力士HBM4E采用第六代10nm制程32Gb DRAM

2024-05-17
阅读量 1393

存储大厂SK海力士在今年IEEE IMW国际存储研讨会上，分享HBM4E内存开发周期缩短到一年，也介绍更多细节。SK海力士技术员Kim Kwi Wook表示，SK海力士计划第六代10nm级1c制程32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。

图片
三大存储原厂均尚未量产第六代10nm级1c制程DRAM内存颗粒，但三星、SK海力士首批六代10nm级1c制程DRAM预定今年量产。美光稍晚，要到2025年，新DRAM内存颗粒有望使密度和能效更改进。
SK海力士HBM3E采第五代10nm级1b制程DRAM，尚未确认HBM4是否更新DRAM裸片制程。韩媒The Elec报道，SK海力士将HBM4量产时间提前到2025下半年，沿用第五代10nm级1b制程更符合研发节奏。
主流HBM3E产品均采24Gb DRAM颗粒，HBM3E内存可因八层堆叠达24GB单堆叠容量，如果12层堆叠，HBM3E堆叠可达36GB。将来HBM4E更新到32Gb DRAM裸片后，12层堆叠就能达48GB单颗容量，16层版达64GB超大规模，为AI用例创造更多可能场景。
Kim Kwi Wook预计，HBM4E记忆体可较HBM4带宽提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。谈到混合键合看法，Kim Kwi Wook认为仍有良率不佳问题，SK海力士下代HBM4采混合键合可能性不大。

点击此处关注，获取最新资讯！

f328f6db93164f84bb23c090c28e7db.png88c1a0acd98aa6023fcbfa1f2ebf421.png

1.本文整理自网络，如有侵权，请联系删除。

2.所刊内容仅代表作者观点，非闪德资讯立场。

收藏
下一篇：钰创：DRAM价格2025年回到疫情前水准

我的评论

请登录后评论

最新评论

暂无评论
渠道报价
查看更多

PC 2666

  • 一年
  • 半年
  • 三个月
  • 一个月

微信订阅

APP下载

存储未来，赢得先机

18126200184

Copyright©2008-2024 闪德资讯 版权所有 粤ICP备18080549号-1

粤公网安备 44030402002744号