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SK海力士HBM4E采用第六代10nm制程32Gb DRAM

2024-05-17
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存储大厂SK海力士在今年IEEE IMW国际存储研讨会上，分享HBM4E内存开发周期缩短到一年，也介绍更多细节。SK海力士技术员Kim Kwi Wook表示，SK海力士计划第六代10nm级1c制程32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。

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三大存储原厂均尚未量产第六代10nm级1c制程DRAM内存颗粒，但三星、SK海力士首批六代10nm级1c制程DRAM预定今年量产。美光稍晚，要到2025年，新DRAM内存颗粒有望使密度和能效更改进。
SK海力士HBM3E采第五代10nm级1b制程DRAM，尚未确认HBM4是否更新DRAM裸片制程。韩媒The Elec报道，SK海力士将HBM4量产时间提前到2025下半年，沿用第五代10nm级1b制程更符合研发节奏。
主流HBM3E产品均采24Gb DRAM颗粒，HBM3E内存可因八层堆叠达24GB单堆叠容量，如果12层堆叠，HBM3E堆叠可达36GB。将来HBM4E更新到32Gb DRAM裸片后，12层堆叠就能达48GB单颗容量，16层版达64GB超大规模，为AI用例创造更多可能场景。
Kim Kwi Wook预计，HBM4E记忆体可较HBM4带宽提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。谈到混合键合看法，Kim Kwi Wook认为仍有良率不佳问题，SK海力士下代HBM4采混合键合可能性不大。

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