根据韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM 5年，NAND 2年。

据BusinessKorea报道，该研究院透露，中国DRAM制造企业长鑫存储今年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2.5年，两国之间的技术差距超过5年。

特别是，三星电子等韩国企业已经引进或计划引进EUV设备，中国企业则受限于美国制裁很难引进。因此，很多专家认为，中国想要缩小与韩国的技术差距并不容易。

中国芯片制造商的收益率也被认为很低。OERI分析说，从2019年开始批量生产第一代10nm（1x或18-19nm）DRAM的长鑫存储，在2年时间过去后，其产量仍停留在75%的水平。据悉，在第二代DRAM上的收益率也仅在40%左右。有分析认为，到去年年末长鑫存储还不到1%的DRAM市场占有率不会大幅提升。

OERI首席研究员Lee Mi-hye表示：「DRAM企业的技术实力和规模经济很重要，但中国与主要国家的技术差距很大，加上美国的制裁，很难扩大市场份额……DRAM领域不会像显示器产业的力量转移那样发生快速变化。」

据推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存储于2021年8月开始批量生产第6代（128层）3D NAND闪存。三星电子等韩国厂商则从2019年开始批量生产，并计划从今年年末到明年年初，批量生产200层以上的NAND闪存，而长江存储预计要到2024年才能实现。

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