在低迷了一年多之后，预计存储芯片的合约价格在今年二季度将会有明显上涨。

NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格，预计在今年二季度的涨幅将达到两位数。

NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格在二季度上涨，主要是得益于需求的增长。外媒在报道中就指出，存储芯片的合约价格上涨，是由持续增长的需求推动的，包括数据中心、企业级固态硬盘和其他应用需求的增长。

存储芯片的价格若像外媒预计的那样在二季度上涨两位数，也将推动三星、镁光、海力士等相关厂商营收的增长。由于存储芯片价格下跌，相关厂商的营收在过去一年多的时间里都有明显的下滑。

据渠道商透露，包括三星等主要供应商已通知调涨下季 DRAM、储存型快闪存储器(NAND Flash)合约价，涨幅都达双位数。

存储器已经形成涨价趋势。2020 年开年以来，DRAM 价格不断上涨。自从 1 月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后，这两家公司纷纷表态对生产基本没影响，但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血，内存及 SSD 硬盘的现货价应声而起，1 月份就涨价高达 30%。

提价的原因是，因中国内地主要大厂复工复产受影响、出货不顺，而渠道商库存降低；另一方面，卫生事件冲击全球经济，存储器市场受惠于卫生事件带动宅经济大好，网购、电商、线上游戏、电竞游戏逆势成长，首季三大存储器需求仍强，其中，因资料中心扩大服务器建置，推升服务器用的 DRAM 和 NAND Flash 需求更为强劲。

行业媒体报道，包括三星、SK 海力士和镁光(MU.US)等三大 DRAM 厂库存水位降到四至六周，加上 5G 新手机搭载 DRAM 位元数量大增，预估下半年 DRAM 市场供给将短缺，推升价格上涨；NAND Flash 下半年供应会更紧张。