研究指出，美国法规太复杂，导致当地晶圆厂的建设速度，落居全球倒数第二，光靠芯片法也无法解决这个问题，而是需要改革各层级法规，才能追上台湾和日本等的建厂速度。

CSET的研究评估1990-2020年期间全球晶圆厂的建厂进度，结论为在这段期间约兴建635座晶圆厂，从开工到投产平均耗时682天。

研究发现，这段期间在美国兴建晶圆厂需要736天，远高于全球平均值，仅少于东南亚的781天。

有三个地区的晶圆厂建设时间低于全球平均值，分别是台湾的654天、韩国的620天、日本更短至584天。欧洲和中东为690天，中国为701天。

若细看各时期数据，美国1990年代到2000年代打造晶圆厂的速度相当快，平均只需675天，但2010年代剧增至918天。

中国大陆和台湾在2010年代加快晶圆厂兴建速度，平均完工时间分别为675天、642天。

与此同时，美国的晶圆厂数量也有所下降，以前美国有55座晶圆厂，2000年下降到43座，随后又下降到22座，与此同时，中国的晶圆厂数量不断增加，从14座到75座，再到95座。

虽然在半导体技术方面，中国还在追赶，但在晶圆厂建设方面已经占据上风，会有利于产能的提升。

这个结果不令人意外，近来台积电、英特尔、三星电子在美国兴建的晶圆厂，均传出进度延误。台积电在亚利桑那的Fab 21延迟了一年，英特尔在俄亥俄州的工厂推迟到2026年底，三星在德克萨斯州的工厂推迟到2025年。

CSET报告指出，美国晶圆厂建设缓慢的关键问题出在监管制度复杂，打造芯片厂需遵守联邦政府、州政府、地方政府的三套法规，远比台湾等地更麻烦，法条又“艰涩难懂”，提议删除多余法规，并为芯片业制定例外规则。

这份研究也举例说明了环保审查过程造成严重延误，且冲击半导体材料。

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