作为公司的第二季度财务财报电话会议的一部分，镁光公司透露，它即将开始批量生产了4 次  代3D NAND存储设备。存储器制造商基于公司新的替换门（RG）架构，正准备在当前财政季度（FY20财年第三季度）开始生产，并将于第四季度开始商业发货。总体而言，这将标志着制造商开始重大技术转型。

如Micron先前所详述，该公司的第 4 代3D NAND具有多达128个有源层，并使用了替换门（RG）技术，该技术取代了英特尔和镁光已使用多年的传统浮栅技术。该开关是一项重大的设计更改，并且是向前迈进的重要一步，因为它是镁光长期技术计划的核心。在很长一段时间内，它恰好是该公司的第一个闪存技术，该技术完全是由镁光设计的，而不是与前合作伙伴英特尔共同设计的。镁光希望切换到栅极替换将使其能够减小管芯尺寸，降低成本，提高性能，并能够更轻松地过渡到可能具有更多有源层的下一代节点。 

镁光没有计划过境其所有的产品其4 个基于RG-代3D NAND技术，它已经警告投资者今年不要指望一个有意义全公司成本每比特缩减为这个结果技术转型。不过，尽早开始量产是非常重要的，因为学习如何生产合格门的替代门3D NAND对于镁光的下一代3D NAND（预计在2021财年广泛部署）（从9月下旬开始， 2020）。

镁光表示，它计划在其FY2020的第四季度（即今年夏天）开始发货其128层基于栅极的替代3D NAND产品。同时，镁光还必须披露计划使用该技术制造哪些产品。

镁光公司首席执行官兼总裁Sanjay Mehrotra表示：

在NAND方面，我们在替换门或RG过渡方面取得了重大进展，并有望在本季度开始批量生产，第四季度的收入将紧随其后。我们预计，到本日历年度末，替换门的生产将成为我们NAND总供应量的重要部分。

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