随着DRAM市场趋于正常，维持减产的三星电子和SK海力士也出现了恢复设备投资的迹象。

这两家公司占据全球DRAM市场供应量70%。

产能的扩张预计订单将开始投放到一直鲜有订单消息的设备行业。

今年上半年三星电子平泽P3工厂将进行新投资，将产能扩大至每月3万片晶圆。预计今年下半年平泽P4工厂竣工后，该设施将正式投入使用。

SK海力士将把京畿道利川市M14的NAND闪存生产设施搬迁，并在安全空间内安装10nm DRAM设施。

AI服务器等对半导体的需求增加，DRAM市场正在进入全面复苏。

Tech Insights预测，今年DRAM市场将比去年增长50%以上。

另一家市场研究公司宣布，内存DRAM现货价格已停止下跌，并已连续五个月上涨。

在这种氛围下，三星电子和SK海力士预计将加快设备投资，以增强需求快速增长的DDR5等高价值DRAM产品的竞争力。

除去需求快速增长的HBM生产线，普遍观点是新的DRAM和NAND晶圆前端工艺设施的建设将保守进行。

韩华投资证券研究员 Kim Gwang-jin 表示，三星电子可能会加速对剩余P3空间和新晶圆厂P4的 DRAM投资，以增强DRAM竞争力。

SK海力士也可能会进行额外投资以保持其DRAM竞争优势。因为成本很高，所以将开始对相关设备进行投资。

业界预计，由于三星电子和SK海力士的设备投资，迄今为止表现不佳的前端工艺设备公司的设备供应将正式开始。

尽管去年半导体行业衰退，但对HBM的需求持续增加，用于封装工艺的后端工艺设备公司的设备订单不断，以稳定HBM的性能和良率。

不过，前端工艺设备企业并未从HBM扩产周期中受益。

一般来说，半导体生产过程分为制造晶圆和雕刻电路的前工序，以及切割半导体、连接电气布线等并将其组装成可以安装在电子设备上的形式的后工序。

Jusung Engineering、Eugene Tech、Wonik IPS等韩国领先的前端工艺设备公司去年营业利润大幅下降。

Jusung Engineering去年营业利润为289亿韩元，比上年减少76.6%，Eugene Tech同期营业利润243亿韩元，比上年减少54%。

Wonik IPS还营业亏损181亿韩元，变成了赤字。

分析师预测，与去年不同的是，由于三星电子和SK海力士对DRAM设施的投资，今年前端工艺设备公司的业绩将出现反弹。

对于Jusung Engineering，由于国内客户对前端处理的投资扩大，预计营业利润将比去年增长257%，达到1031亿韩元。

对于Eugene Tech今年业绩，由于对存储器行业的投资增加，预计营业利润将比上年增长54%，达到375亿韩元。

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