美光科技启动232层QLC NAND的量产，在NAND技术领域取得了重大里程碑。

目前，该产品已应用于部分Crucial SSD。

这一进步也正通过量产惠及企业存储客户，并且作为美光2500 NVMe SSD系列的一部分，正在由OEM PC制造商进行采样。

美光全新232层QLC NAND旨在提高多种存储应用的性能，包括移动设备、客户端计算机、边缘技术和数据中心。

该技术在效率和速度方面有显著提升，具有业界领先的位密度，与其最接近的竞争对手的最新产品相比，尺寸缩小了28%。

它还显著提高了NAND I/O速度，高达2400MT/s，比之前的型号提高了50%。

此外，与前代产品相比，该技术读取性能提高了24%，编程性能提高了31%。

Pure  Storage超大规模总经理Bill Cerreta强调了美光232层QLC NAND的影响，并指出其在支持 Pure Storage到2028年通过使用其高容量DirectFlash模块逐步淘汰数据中心HDD的目标方面发挥了关键作用。

这项创新凸显了美光在推动NAND技术发展方面的领导地位和承诺。

有三种规格：M.2 2280/2242/2230，以及三种容量型号：512GB、1TB、2TB。

传输速度因容量而异；2TB型号顺序读取7,100MB/秒、写入6,000MB/秒、随机读取1,000,000 IOPS、写入1,000,000 IOPS，

1TB型号顺序读取7,100MB/秒、写入5,800MB/秒、随机读取900,000 IOPS、写入1,000,000 IOPS，

512GB型号顺序读取6,600MB/秒、写入3,650MB/秒、随机读取530,000 IOPS、写入860,000 IOPS。 

总线接口为PCI Express 4.0(x4)/NVMe 1.4c，总写入量2TB为600TBW、1TB为300TBW、512GB为200TBW，MTTF为200万小时。

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