三星台积电的7纳米竞争,台积电遥遥领先

转载: 全球半导体观察 2019-08-05
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日韩贸易战加剧,日本管制关键高纯度氟化氢等应用在极紫外光(EUV)原料输韩,直接打乱三星冲刺7纳米以下先进制程布局,预料受原料管制趋严下,三星要藉冲刺先制程抢食台积电晶圆代工大饼的难度大增,并加速台积电拉大和三星差距。

日本限制光阻剂、高纯度氟化氢及聚醯亚胺等关键半导体原料输韩,虽然南韩半导体厂仍可透过专案审查程序申请,但进口时程将由过去简化程序拉长至90天(专案审查期),包括三星和SK海力士除均对外收购既有三项原料存货外,也透过专案申请、加速他厂认证双管齐下,希望将冲击降至最低。

半导体业者表示,由于目前三星和SK海力士存储器库存仍高,日本管制光阻剂等三项半导体原料输韩,韩厂可将生产快闪存储器(Flash)的原料转去支援利润较高的DRAM,并趁机抬高价格、消化库存,对三星和全球DRAM供给,短期还不会构成太大影响。

不过,日本厂商生产用于先进制程的高纯度氟化氢,目前替代厂商占比极低,将直接冲击三星在半导体先进制程布局。

据了解,三星稍早也曾透过中国台湾厂商转手卖给三星,不过台厂担心台韩出口高纯度氟化氢,将遭日本原厂发现异常,拒绝这项交易,让三星吃到闭门羹。

高纯度氟化氢是在采用极紫外光(EUV)进行光罩制程时,要让积体电路精准对位的蚀刻材料,而三星也靠着7纳米制程导入EUV微影设备并成功抢下高通和辉达等前往下单的重要利器。

如今日本管制这项原料输韩,虽然三星正自行生产这项关键化学品,但这又等于让制程良率增添变数,而且三星也是领先全球把EUV设备导入生产更先进的DRAM产品的大厂。

半导体业者分析,三星发展7纳米以下制程受阻,未来要追赶台积电,得花费更大的财力和物力 ,日韩贸易战其实反而助攻台积电拉大和三星差距。

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