NAND Flash 市场经历去年全年供过于求下，供应商进一步降低资本支出，以放缓扩产进程，使整体资本支出年减约 2%，并预期首季 NAND Flash 均价跌幅将由原先预估的 10%，提高至 2 成，第 2 季报价可能续跌近 15%。

去年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出，NAND Flash 总体资本支出下调近 10%，但仍无法翻转供需失衡情形，今年转为美系厂商减少资本支出，使 NAND Flash 整体资本支出较去年持续下滑约 2%，总支出规模约为 220 亿美元。

受到供应商调整扩产计划影响，虽然各供应商已于去年第 4 季起量产 92/96 层 3D NAND，但直到今年底将仅占位元产出约 32%，64/72 层的产出占比仍有逾 5 成，供应商放缓制程的推进，造成今年 NAND Flash 位元成长将仅约 38%，相比去年逾 45% 的水准明显下滑。

观察各供应商产能调整，三星持续减产 2D NAND 产能，加上 92 层制程消耗更多的厂房空间，今年运转产能将较去年底下调，位元产出成长率降至约 35%，由于三星全球市占率约 3 成，三星位元产出成长率放缓，对全球产出成长影响较大。

SK 海力士和东芝 / 威腾原先位元产出成长率预估值分别约为 5 成与 4 成水准，但预期会各下修至 5 成以下，及约 35% 水位，以反映今年市场需求的急冻；美光新加坡新厂则要等到 2020 年才正式量产，全年产能几乎维持不变；英特尔除填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划，美光与英特尔阵营今年整体位元产出成长接近 4 成水准，相较去年 45% 以上明显收敛。

对于今年 NAND Flash 价格走势，原厂在各产品线的合约价报价跌幅，明显高于原先预期，显示原厂正面临庞大的库存压力，预期今年第 1 季市场均价季度跌幅，可能从原先估计的 10%，提高至 2 成水准，第 2 季报价可能将续跌近 15%，下半年虽有旺季需求挹注，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在 1 成左右水准。

今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash 市场均价跌幅则可能扩大至 5 成水准，近乎腰斩。