全球存储芯片制造商龙头三星电子今年可能提高HBM芯片产量近三倍，以抢得AI存储芯片市场的领导地位。

此外，引领HBM市场的SK海力士坦承，正寻求在美国兴建芯片封装厂。

三星电子执行副总裁兼DRAM产品与科技部门主管Hwang Sang-joong在美国加州圣荷西举办的Memcon 2024活动表示，预期三星电子今年HBM产量将比去年增加2.9倍，多于三星电子今年初在拉斯维加斯消费电子展预估的2.5倍。

在已开始量产的第三代HBM2E和第四代HBM3后，三星电子计划今年上半年大量生产12层的第五代HBM、及以32GB为基础的128 GB DDR5，“有了这些产品，我们预期将强化我们在AI时代的高效、高容量存储器市场份额”。

三星电子也发表HBM发展路线图，希望2026年的HBM出货量能比2023年多出13.8倍，2028年的HBM年产量更要比2023年高出23.1倍。

该公司也展示首款12堆叠HBM3E DRAM“HBM3E 12H”芯片，目前已送出样品给客户，计划今年上半年开始量产。这也在证明，三星的产品已经通过了Nvidia的验证，可以供应给对方。

在媒体披露SK海力士计划在印第安纳州投资约40亿美元兴建一座工厂后，SK海力士高管郭鲁正27日坦承，“正在考虑建厂，但还没敲定任何事情”。

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