SK海力士正在美国印第安纳州西部的西拉斐特建设一座用于HBM的封装厂。

此前报道称，SK海力士已选择印第安纳州作为半导体封装厂厂址。SK海力士工厂毗邻普渡大学，该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。

官方表示，SK海力士将投资40亿美元，目标2028年开始运营。

据悉，SK海力士董事会很快批准这一决定。

据悉，该封装厂将是专门生产下一代HBM DRAM堆叠的设施，供应给NVIDIA等生产人工智能（AI）半导体的公司。

目前SK海力士向NVIDIA供应的HBM3E DRAM是8层堆叠，该公司目标是在2026年将16颗芯片堆叠的HBM4 16层DRAM商业化。

随着这座工厂的建设，SK海力士将创造约800至1000个就业岗位，美国联邦和州政府的税收优惠等支持计划将有助于筹集资金。

半导体咨询公司International Business Strategy首席执行官Handel Jones表示，SK海力士在美国建造一座封装工厂的成本将比在韩国高出约30%至35%，预计这笔资金将有助于抵消增加的成本。

SK海力士昨天股价创下52周新高，机构认为将朝着20万韩元飙升，甚至有将目标价提高到22万韩元。

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