英特尔日前宣布内部重组，负责芯片制造与代工的 IFS 部门将独立运营，英特尔希望其制造部门在明年能成为全球第二大晶圆代工厂。

英特尔 IDM2.0 模式将彻底拆分旗下制造部门 IFS 跟设计部门，IFS 将转型为纯晶圆代工厂。

英特尔还宣布将会在2024年的下半年开始量产Intel 18A工艺，作为Intel 20A工艺的改进版，从晶体密度来看，基本等效于其他晶圆代工厂商的1.8nm工艺。同时，Intel 18A工艺还会支持PowerVia、RibbonFET等技术，按英特尔的说法，Intel 18A的效能会完全超过台积电和三星的2nm工艺。

从英特尔对外公布的技术文档来看，PowerVia被称为“背面供电技术”，该技术将传统的电源线从前端移到晶圆的背面，将电源线与信号线分开部署，旨在解决芯片微缩结构中日益严重的互连瓶颈问题。在测试中，PowerVia技术被证明可以有效降低芯片电压，以更低的电压获得更高的处理器频率，在温度表现上也优于此前的所有工艺。

而RibbonFET实质上是一个全新的晶体管架构，正式中文名称为全环绕栅极晶体管，主要的优点是在更小的空间中部署更多的晶体管，以达成大幅度提高晶体管数量的需求。晶体管数量某种程度上可以直接代表处理器的性能，借助这个新的架构，英特尔才得以在Intel 18A上完成对台积电和三星的反超。

考虑到台积电和三星的2nm工艺最快也要等到2025年才能实现量产，在此之前，英特尔的处理器在工艺技术水平上可能都会处于领先地位，当然，前提是一切顺利的情况下。

点击此处关注，获取最新资讯！