早在2020年11月，美光就在业界率先宣布量产176层3D NAND，开启了存储原厂间的竞争新局面。SK海力士也紧跟脚步，晚美光不到1个月，也正式发布了176层512Gb TLC 4D NAND Flash。
而据DIGITIMES报道，三星预计于平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND产线，以提高176层3D NAND产量，据称，届时三星每月投片量将达4万~5万片，预计2022年4月可望搬入机台设备。DIGITIMES指出，2021年进入第四季以来，原本供应吃紧的PMIC和主控芯片供货逐步改善，在这种情况下，多家原厂争相在先进工艺领域推出产能，恐为2022年存储市场的供需增加变量，2022年上半年，NAND供过于求的局面或将扩大。2021年，三星和SK海力士的NAND产能均大提提高，但2022年的需求增长却被认为将在原有幅度上回调。据悉，各家NAND原厂新增的投片量有限，产能增长主要由堆栈工艺推动。当前，各大原厂的主力工艺在于96层和128层，但第4季起，176层的产能占比可望接近5%，2022年，这个比重预计也将持续提升，预计到2022年底，整体176层NAND产出比重将超过25%。三星是存储芯片市场龙头，却也是当前业界唯一在128层工艺上还采用单串堆栈（single deck）技术生产的厂商。176层将是三星进击的重要节点，三星决定转向采用多串堆栈（string stacking）技术，借此在2022年跟上业界的脚步。进一步的，2023年，三星或也将成为率先进入200层工艺节点的厂商之一。还在IPO和被西部数据并购之前徘徊的铠侠，主力工艺目前为112层，预计2022年将投产162层。值得注意的是，中国三大存储原厂之中唯一在闪存领域发力的长江存储，今年9月官宣64层闪存颗粒出货超3亿颗，128层QLC准备量产，TLC良率做到相当水准，看起来相比于行业领先者，长江存储在工艺制程上的进度差距正在缩小。DIGITIMES预计，2022年，176层NAND将陆续被用于手机和消费类固态硬盘领域。NAND容量增长方面，DIGITIMES引述业界人士的话表示，预计2022年第3季市场价格将可望止跌。群联CEO潘健成表示，NAND价格下跌将加速各类电子产品的存储容量提升。
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