据报道，东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

东芝和三星在3D NAND技术开拓上一直处于领先地位。

东芝开发了BiCS工艺，采用先栅极方法，通过交替沉积氧化物层和多晶硅层堆叠形成通道孔，填充ONO和 pSi，再沉积光刻胶，通过连续蚀刻流程刻出一个阶梯形成互连。

三星则开发了后栅极方法，通过交替沉积氧化物和氮化物层，形成穿过层的通道，填充ONO和pSi，形成阶梯后蚀刻出一个贯通的槽，并去除其中的氮化物，然后沉积氧化铝、氮化钛和钨后对其进行回蚀，最后用坞填充槽。

两种工艺的主要不同在于BiCS 使用了pSi字线的先栅极方法，而 TCAT 则使用 W 字线的后栅极方法。BiCS的优势在于工艺相较简单，TCAT的优势在于电阻低，有助于提升闪存性能。

尽管东芝一直在做BiCS，但业界一直有传言说东芝做不出有效的BiCS，量产部分用的其实是TCAT 工艺。东芝方面此前并未就这一传言做出任何回应。

而这次IEDM会议上，WD在3D NAND闪存技术的演讲中间接印证了这种说法，演讲中展示的3D NAND闪存技术运用的是类似于三星TCAT的存储结构，而不是BiCS结构。

据半导体芯片研究公司TechInsights的说法，三星、海力士、东芝-WD联盟目前都使用了TCAT类似的存储单元技术来实现3D NAND闪存。目前，海力士方面还未官方对这一说法做出回应。