GLOBALFOUNDRIES宣布，基于其22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）已投入生产，目前F正在与数家客户合作，计划于2020年进行多种生产。此次发布代表了一个重要的行业里程碑，证明了eMRAM的可扩展性是物联网（IoT），通用微控制器，汽车，边缘AI（人工智能）和其他低功耗高级进程节点上的一种经济高效的选择应用程序。

GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR闪存（eFlash），使设计人员能够扩展其现有的IoT和微控制器单元架构，以获取28nm以下技术节点的功耗和密度优势。

GF的eMRAM是一种高度通用且坚固的嵌入式非易失性存储器（eNVM），已通过了五项严格的现实世界中的焊料回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内具有100,000个周期的耐久性和10年的数据保留范围。FDX eMRAM解决方案支持AEC-Q100质量等级2设计，并且正在进行开发以支持明年的AEC-Q100质量等级1解决方案。

GLOBALFOUNDRIES汽车和工业多市场高级副总裁兼总经理Mike Hogan表示：“我们将继续致力于通过强大，功能丰富的解决方案使FDX平台与众不同，从而使我们的客户能够为高性能和低功率应用构建创新产品。我们的差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上，在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF，低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使我们的客户能够提供新一代的超高性能-低功耗MCU和连接的IoT应用程序。”

GF及其设计合作伙伴已开始提供定制设计套件，这些套件具有可插入的，经过硅验证的MRAM宏，范围从4到48兆位，以及可选的MRAM内置自测试支持。