由于美中贸易战导致市场不确定性大增，加上英特尔处理器缺货，影响全球智慧型手机及电脑销售，也导致DRAM及NAND Flash出货供给过剩压力，明年价格看跌。在了在低迷市况中稳住获利能力，记忆体大厂三星及美光已相继传出将调降明年DRAM及NAND Flash位元出货量消息，业界认为有助于减少跌价压力，对南亚科 及群联明年营运将是一大利多。

根据韩国外电，三星计划2019年减少记忆体产量，DRAM位元出货量由原本预估的20％以上降至低于20％，NAND Flash位元出货量则由40％下修至30％。三星平泽二厂原本预期明年上半年完工，但因市场供给过剩，该厂增产及扩产计划恐延缓，以限制产能增加并降低DRAM跌价速度及幅度，据了解，三星已考量将扩增4万片月产能下修至2～3万片。

另外，美光也在日前法说会中透露下修明年出货目标计划。美光指出因为智慧型手机出货衰退，加上英特尔处理器缺货影响PC出货，2019年资本支出将由原先预期的105亿美元下修至90亿美元。同时，美光将明年DRAM位元出货量目标由原本预估的20％下修至16％，NAND Flash位元出货量则由原先预估35～40％下修至35％。

至于韩国另一记忆体大厂SK海力士虽然尚未说明2019年的出货目标，但曾表示会减少资本支出，以控制出货量成长率及减缓下一步投资计划。与东芝合作的威腾（WD）同样释出将放缓明年NAND Flash新产能投资，以避免价格持续大跌影响获利。

由记忆体大厂调降明年位元出货目标的动作来看，DRAM及NAND Flash的位元出货量成长率，将控制在与市场需求成长率的幅度。目前各大厂普遍预期明年DRAM位元需求量将较今年成长15～20％，NAND Flash位元需求量则较今年成长35％左右。业者指出，若位元成长率有效控制，跌价情况将明显放缓，只要本身制程顺利微缩，就可降低获利大幅下滑压力。

法人则指出，包括三星及美光等大厂若真能控制明年位元出货量，DRAM价格可望在明年第2季止跌，明年下半年应可维持稳定，以南亚科20奈米微缩十分顺利情况来看，获利不致于有太大的衰退。NAND Flash今年价格重挫7成以上，明年跌价幅度可望缩小在3成以内，且跌价有助于提高终端需求，群联明年获利有机会优于今年。