据天眼查App显示，长鑫存储技术有限公司公开申请的2项专利，包括「半导体结构的制作方法及半导体结构」、「存储芯片的测试方法、装置、设备及存储介质」。

「半导体结构的制作方法及半导体结构」公开号为CN114639638A，专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制作方法包括提供基底，基底的表面形成有间隔设置的接触结构；于基底上形成包括交替层叠的支撑层及牺牲层的叠层结构，叠层结构覆盖接触结构；于叠层结构内形成隔离结构，隔离结构沿垂直于基底的方向贯穿牺牲层和部分支撑层，并通过剩余部分支撑层与基底连接，以将基底分为第一区域和第二区域；于第二区域内形成电容结构，电容结构与第二区域内的接触结构对应连接。

「存储芯片的测试方法、装置、设备及存储介质」公开号为CN114639434A，专利摘要显示，本发明提供一种存储芯片的测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。存储芯片的测试方法包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取存储数据；根据测试数据和存储数据，生成待测存储芯片的测试结果。

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