记忆体模组业者纷预期，DRAM价格今年下半年可望止跌，相较于DRAM，储存型（NAND）快闪记忆体因中国厂商加入生产行列，加上三星电子等主要供应商持续生产，以维持市场占有率，业界预估NAND快闪记忆体今年价格将仍将跌跌不休。

不景气 凸显需求疲弱

NAND快闪记忆体主要供应商包括三星电子、SK海力士、东芝记忆体、威腾电子、美光、英特尔等，根据市场调查指出，去年因各家持续增加产出，以致产品价格逐季走跌，全年位元出货量成长逾40%，整体营收约632亿美元水准，但年成长仅10.9%。
今年第1季值淡季，不景气更凸显需求疲弱，伺服器、智慧型手机厂商持续调整库存中，市场估计NAND Flash位元出货量将较上季衰退，但主要供应商为维持市场占有率，还是会依既定计划生产3D NAND Flash，祭出更优惠价格来吸引客户采用，预期销售单价与需求将双双下滑。

DRAM跌价趋势仍在

宇瞻总经理张家騉指出，DRAM价格继第1季跌3成之后，以目前供给与需求来看，“跌价趋势依然存在”，第2季将续下跌，若加速赶底、跌幅较多，第3季可望止跌回稳，但如果缓跌，止跌时间将延后，但他表示，目前需求虽淡，但询问的客户增多，且供应商以三大厂为主，仍维持不错的营业利益，由于中国厂商没办法生产DRAM，后市止跌可期。不过NAND Flash则较不妙，若跌到现金成本以下，供应商减产，才可望止跌。

紫光量产 冲击NAND Flash

中国紫光集团旗下长江存储已宣布加入量产NAND Flash行列，将从64层堆叠的3D NAND Flash切入，再推进到128层，目标产能高达30万片，目前还在试展身手、月产能约万片的小量阶段，若大量生产后，恐对市场造成冲击，预估首当其冲会是仅生产NAND Flash、又应变较慢的日商Toshiba，韩厂与美光则还有获利的DRAM可支撑整体营运。