8月9日，拜登将正式签署美国的《芯片与科学法案》，作为美国欲大力发展本土芯片产业的工具，法案原本备受关注的是其520亿的补贴资金，但随着更多信息被披露，其意图逼迫芯片企业在中美之间二选一的诡计昭然若揭。而美韩存储三巨头三星、SK海力、美光都在中国设有工厂，并意向加大投资，但同时其在美国的扩产计划也提上日程，面对美国的芯片法案，他们又该如何选择？

芯片法案：禁止在中国投资先进半导体，期限为10年

据悉，美国的芯片法案除了面向芯片企业研发和工厂提供的520亿补贴和税收优惠以外，其中一项针对中国投资发限制条款，就在行业引起轩然大波。

法案文本中关于补贴资助对象资格的内容中，明确写到，禁止接受联邦奖励资金的企业，包括在那些对美国国家安全构成威胁的特定国家扩建或新建某些先进半导体的新产能。

在法案CHIPS and ORAN Investment Division A Summary部分，则直接写明：

禁止接受CHIPS法案资助的公司在中国和其他特别关切国家的扩建某些关键芯片制造。

具体而言，这份《芯片与科学法案》禁止获得联邦资金的公司在中国大幅增产先进制程芯片，期限为10年，违反禁令或未能修正违规状况的公司，可能需要全额退还联邦补助款。

可以说，这份芯片法案对于打算申请美国补贴，同时有意向在中国扩产的芯片企业来说，进退两难。

存储三强，要美国的钱，还是中国的厂?

以三星、SK海力士、美光为例，其近来有意向在美国新建工厂，但其在中国的工厂又在逐渐提升先进产能。

三星方面，在中国西安设有两座存储工厂，主要制造NAND Flash，产能占三星全部闪存产能的42.3%，占全球产能也有15.3%。今年三月份，三星在西安的闪存二厂刚完成扩建并投产。但在美国，三星的芯片投资计划更是野心勃勃。有消息传出，三星计划向美国投资1.4万亿人民币，在美国新建11家芯片工厂，原因之一就是冲着美国520亿美元的芯片补贴。而早在去年，三星就已经宣布在泰勒市投资170亿美元建设芯片厂，目前该工厂已经动工，预计在2024年开始运营。

SK海力士方面，在中国无锡、重庆、大连都有工厂。但在去年，无锡工厂原本打算引进阿斯麦EUV来提高存储芯片的生产效率，但随后被美国以国安风险阻拦。不过该行为并没有阻拦SK海力士在中国扩建的计划。SK海力士在去年完成收购英特尔NAND闪存及SSD（固态硬盘）业务案的第一阶段，从英特尔手中接管SSD业务及其位于大连的NAND闪存制造工厂的资产后，在今年5月份宣布在大连新建新的NAND闪存工厂，还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充。

虽然SK海力士持续加大对中国厂区的投资，但其对美国的投资同样庞大。7月底SK集团会长崔泰源同美国总统拜登以视频形式举行会议，并公布了SK集团将对美国追加投资220亿美元的计划，若包含之前公布的70亿美元对美投资计划，总投资额将达290亿美元，其中的150亿美元将用于半导体领域。

美光在西安设有一座存储工厂，但随着芯片法案的落地，这家美国本土的存储企业会加大在美国的投资，也因其具备的美国本土优势更有优势申请补贴。美光在今年传出考虑在爱达荷州博伊西建立一个新的先进芯片工厂。

「先进技术」如何定义？美国说了算

法案中作为限制企业在中国投资的关键点是：先进制程和所谓「传统半导体」，但这两者如何定义，法案并没有给出明确说法。

尽管目前市场普遍认为28纳米是先进制程和成熟制程的分界线，很多外媒也将这份法案直接解读为「禁止在中国大幅增产28纳米以下半导体，但28纳米及以上半导体暂时不受限制」。但是，不难理解为，法案给所谓的先进技术设置了较为灵活的门槛，如果未来十年内，芯片技术进步，这一对华投资限制可能还会下沉到28纳米以下。

而对于在中美两国都有投资计划的几大存储巨头来说，未来在投资计划方面，如何平衡两国要求，格外考验他们的应对能力。

点击此处关注，获取最新资讯！