台积电正式公布2nm制程，预计2025年量产 ssd新闻存储新闻

台积电正式公布2nm制程，预计2025年量产

2022-06-17

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6月17日，台积电在 2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息，N3工艺将于2022年内量产，后续还有N3E、N3P、N3X等，N2（2nm）工艺将于2025年量产。

N2方面，台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，而非现在的FinFET（鳍式场效应晶体管）。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。在相同功耗下，N2比N3E速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不过，与N3E相比，N2仅将芯片密度提高了10%左右。

N2工艺带来了两项重要的创新：纳米片晶体管（台积电称之为GAAFET）和backside power rail。GAA纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了泄漏；此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，台积电的N2使用backside power rail，台积电认为这是在back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。

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