三星追赶台积电，2025年量产2nm制程 ssd新闻存储新闻

2022-06-21

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据韩媒BusinessKorea报道，晶圆代工龙头台积电公布2纳米制程2025年开始量产之后，三星为了迎头赶上，正加码押注3纳米环绕闸极技术（GAA）技术，将在未来三年完成建立GAA技术的3纳米芯片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米芯片，届时两强将同步以最先进的2纳米制程抢市。

GAA是改善半导体电晶体结构的下一代制程技术，让闸极能够接触电晶体的四个侧面，相较于当前鳍式场效电晶体（FinFET）只能接触电晶体三个侧面的情况，GAA结构可比FinFET制程更精准控制电流。三星正押注把GAA技术应用到3纳米制程，以便追赶台积电。

专家指出，由于台积电预料将从2纳米芯片开始导入GAA制程，约2026年推出第一款以GAA技术为基础的2纳米芯片产品，因此若三星在以GAA技术为基础的3纳米芯片制程良率稳定，能够改变晶圆代工市场全局，未来三年将是三星的关键期。

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