为实现超大容量SSD，铠侠正试验7bit/cell 3D NAND ssd新闻存储新闻

为实现超大容量SSD，铠侠正试验7bit/cell 3D NAND

2022-06-17

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据外媒tom'shardware报道，近日铠侠表示，已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc)，尽管是在实验室和低温的条件下。为了使存储密度更高，存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。例如，要存储4位，单元必须保持16个电压电平 (2^4)，但使用6位，该数字会增长到64(2^6)。而铠侠实现的每个单元存储7位则需要保持128个电压状态(2^7)。

铠侠在2022年国际存储研讨会 (IMW 2022) 上展示了描述其成就的论文，铠侠使用通过外延生长构建的单晶硅通道来达成7 bpc的存储，单晶硅的电阻比多晶硅低，因此更容易记录此类单元。报告称，与传统晶体管相比，具有单晶硅单元晶体管的亚阈值斜率更陡，而泄漏电流和读取噪声更低。这种NAND Flash单元现在还无法在商业实现，为了记录和读取，铠侠的科学家们不得不在实验室中完成试验，将芯片浸入液氮(-196°C)以稳定材料，降低电压要求。

在实验室中构建定制晶体管只是超高密度NAND Flash挑战的一半。首先，研究人员必须开发和使用具有适合处理128种电压状态的自定义编码方案的专用SSD控制器，能够准确处理128个电压电平的控制器可能与微处理器一样复杂且价格昂贵。

因此，主要问题是使用昂贵且复杂的SSD控制器将3D NAND记录密度从5 bpc增加到7 bpc是否有意义。虽然最好的SSD往往成本很高，但过于先进的控制器可能变得过于昂贵，并消除它们的所有优势。西部数据认为，即使在2025年之后，哪怕是5 bpc的3D NAND也几乎没有意义。但是，铠侠现在展示了7 bpc的物理可能性，甚至谈到了最终可以提升至8 bpc。

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