美韩存储厂3D DRAM商业化加速，美光技术专利占优势 ssd新闻存储新闻

2023-03-23

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据台媒《经济日报》报道，三星电子等韩国存储半导体大厂正在加速3D DRAM的商业化，将之视为改变产业游戏规则的重大举措。

3D DRAM是一种具有新结构的存储芯片，引入了高介电常数沉积材料和极紫外光刻设备，在传统DRAM架构面临性能与工艺极限的情况下，3D DRAM被视为必由之路，ChatGPT等人工智能应用的兴起，也导致对高性能和大容量存储半导体的需求增加。

三星电子半导体研究中心副总裁兼工艺开发办公室负责人Lee Jong-myung近日表示：「3D DRAM 被认为是半导体行业未来的增长动力」。

2021年，韩国半导体厂商正式开始讨论3D DRAM的开发，三星电子于2021年在其DS部门内建立了下一代工艺开发团队，开始实质性工程研究。

报道称，目前在这一领域，主要厂商的技术竞争也正在升温，除了韩国厂商，内存半导体市场排名第三的美光也正积极准备切入市场，该公司已获得30多项3D DRAM专利技术。相比韩国厂商有明显优势。

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