SK海力士砸146亿美元大扩产，要在韩国建新内存芯片厂 ssd新闻存储新闻

2024-04-25

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韩国存储大厂SK海力士宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充AI基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力。因此，公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X产线，作为新的DRAM生产基地，并决定向晶圆厂建设投资约5.3万亿韩元。

SK海力士表示，这波投资扩张总规模超过20万亿韩元（146亿美元），包括初期预计投入5.3万亿韩元新建DRAM芯片工厂，预定4月底开始动工，预计2025年11月完工，有助提高该公司整体DRAM产能。

新厂坐落于SK海力士清州厂附近，聚焦于生产次世代DRAM，包括生成式AI工具所需的高带宽内存（HBM）。

此举显示全球AI军备竞赛如火如荼上演，半导体业者竞相供应支持生成式AI服务所需的硬体与零组件。HBM芯片用来搭配英伟达、三星设计的AI加速器，目前SK海力士是这种先进芯片的领导厂商，但三星也放言砸下巨资在这种高阶内存市场急起直追。

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