近日，SK海力士宣布第八代3D NAND的详细信息，堆叠层数超过300层，预估将于2024年年底或者2025年年初上市发售。第8代3D NAND容量为1Tb（128GB），具有三级单元和超过20Gb/mm^2 的位密度（bit density）。该芯片的页容量（page size）为16KB，拥有4个planes，接口传输速度为2400MT/s，最高吞吐量为194MB/s（比第7代238层3D NAND快18%）。新NAND的位密度增加近一倍，意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低SK海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。
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