三星电子存储业务部门的DRAM开发副总裁兼总监Sangjun Hwang宣布,三星已开始为客户提供较高的带宽内存HBM3E样品,下一代产品HBM4正在开发,目标2025年供货。Sangjun Hwang表示,三星仍在准备开发非导电性粘合剂膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术,用于针对HBM4产品应用的高温热特性进行了优化。三星电子公司正在全面开发这些技术,包括在今年年初建立AVP(先进封装)业务团队,以增强尖端封装技术并最大程度地提高各个商业部门之间的协同作用。此外,三星还计划与HBM一起提供尖端定制交钥匙封装服务,包括2.5D和3D尖端封装解决方案,展示AI和HPC时代的最佳解决方案。对于上个月发布的32GB DDR5 DRAM,Sangjun Hwang称,降低成本和提高生产率已经成为可能,功耗也可以改善10%,有可能实现高达1 TB的内存模组。
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