联电和英特尔宣布新晶圆代工合作，预计2027年投产 ssd新闻存储新闻

联电和英特尔宣布新晶圆代工合作，预计2027年投产

2024-01-26

阅读量 1162

据台媒《财经新报》报道，晶圆代工厂联电和处理器龙头英特尔共同宣布，双方将合作开发12纳米制程平台，以应对移动、通讯基础建设和网络等市场的快速成长。这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。

此项12纳米制程将善用英特尔位于美国的大规模制造能力和FinFET 电晶体设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的强大组合。受惠于联电在制程上的领导地位，以及为客户提供PDK及设计支援方面的数十年经验，得以更有效地提供晶圆代工服务。新的制程将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资，并最佳化利用率。

事实上，不久前市场就传出联电传出技转12纳米先进制程技术予英特尔、获百亿元授权金的消息。尤其，联电确有先进制程技术，其中14纳米Finfet 制程性能更达业界竞争水准，也积极推进12纳米制程。对此，市场人士表示，英特尔一旦真的百亿元取得联电授权，之后在到其他地区进行生产，做法不符合效益。所以，就由直接下单委外，才能具有其成本竞争优势。

另外，过去联电传出技转12纳米先进制程技术予英特尔以具备优势Arm架构为主，这与对主攻x86架构的英特尔产生互补。而过去英特尔有采用Arm架构的相关经验，如基础设施处理器(IPU)、及开发基于Intel 18A制程的低功耗系统单芯片(SoC)，透过与Arm的合作关系，强化终端应用领域的版图。因此，先前传出联电技转12纳米制程Arm架构，市场推测英特尔可能正在为Fab完全拆分奠定基础，率先寻找各项IP技术授权预先准备。

点击此处关注，获取最新资讯！