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NAND、DRAM价格有望续涨

2023-12-28

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据台媒《经济日报》报道，NAND Flash、DRAM等存储价格反弹，业内估计，不仅第4季合约价可望反弹3%~13%，同时明年第1季有望续涨。

国泰证期顾问处经理蔡明翰、台新投顾协理范婉瑜指出，NAND Flash自8月触底以来，目前累计涨幅约40%~90%，其中主流512Gb TLC wafer整体第4季涨幅已达67%，预估NAND Flash第4季合约价可望全面起涨，涨幅约8%~13%；DRAM自9月触底以来累计涨幅约5%~20%，其中DDR5 8Gb合约价格11月涨幅4%、优于前月近3%，但主流DDR4、利基型产品DDR3则呈放缓趋势，预计第4季合约价全面性止跌回升3%~8%。

由于NAND与DRAM反弹涨幅差异主要是因为先前NAND大幅亏损，导致原厂更积极拉升报价及减产，目前仍未回复损平下，预估NAND涨势仍将持续。

从需求而言，预估2024年手机、PC出货量将分别年增5.3%、4.1%，其中新处理器平台将持续推升DDR5渗透率，随生成式AI将搭载于手机、PC上， AI学习数据储存需求将需要更大储存空间，将进一步推升NAND需求，服务器预估随景气逐步复苏，AI趋势将持续推升DDR5、HBM等需求。

在供给方面，今年第3季起，随大厂亏损收敛，库存持续改善有望在今年第4季、明年第1季全面去化，三星本季减产预估减产效应将在明年上半年发酵，明年DRAM价格仍能逐季成长。

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