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三星发布业内首款12层36GB HBM3E内存，下半年量产

2024-02-28
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三星电子27日表示，公司成功研发出利用硅通孔技术（TSV）的业界首款12层堆叠第五代高带宽内存（HBM3E）「HBM3E 12H DRAM」，容量达到业内最大的36GB。

据悉，公司目前已开始向客户提供HBM3E 12H样品，并计划从今年下半年投入量产，以抢占市场先机。
具体来看，HBM3E 12H能提供高达每秒1280GB/s的带宽。与三星8层堆叠的HBM3 8H相比，其带宽和容量提升率超过50%。HBM3E 12H还采用热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层叠产品与8层叠产品保持相同厚度，以满足当前HBM封装要求。该技术最大限度地减少了因层叠增加和材料厚度变薄引起的芯片弯曲问题。
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公司还通过降低非导电薄膜（NCF）材料厚度，将芯片间隙缩至7微米（µm），消除层与层之间的空隙（Void)），从而使HBM3E 12H的垂直集成度比HBM3 8H提高了20%以上。TC NCF技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）来改善HBM的热性能，并最大限度地提高了产品良率。
公司表示，使用HBM3E 12H可降低图形处理器（GPU）的使用量，从而为企业降低总体拥有成本（TCO）。相较于HBM3 8H，将HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
此外，三星电子正在积极研发第六代高性能高带宽内存（HBM4）产品，目标是2025年推出样品，并从2026年起量产。

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