铠侠和西部数据将于6月展示超过300层的3D NAND ssd新闻存储新闻

2023-05-06

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据外媒eeNewsEurope报道，铠侠和西部数据将于今年6月展示超过300层的3D NAND。

报道称铠侠将在6月11日-16日于日本京都举行的2023年VLSI技术和电路研讨会上发布C2-1论文，介绍8平面（eight-plane）的1Tb 3D TLC NAND，具有超过210个有源层（active layers），接口速率为3.2GT/s。

该IC和两家公司合作开发218层1Tb 3D TLC NAND设备非常相似，具有17Gb/mm^2 密度，只不过从4平面升级为8平面。

铠侠表示这款3D NAND程序吞吐量为205MB/s，读取延迟为40μs。

新论文显示，铠侠的1Tb 3D TLC NAND设备通过将X方向的数据查询区域减少到41%，实现了3.2GT/s 的接口速度，从而实现了内存和主机之间更快的数据传输。铠侠还实施了一种单脉冲双选通技术，允许在单个脉冲内感测两个存储单元，从而将总感测时间减少18%。

两家公司还通过拉长垂直沟道长度（vertical channel length），采用金属诱导横向结晶（MILC）技术，实现超过300层的3D NAND。

根据T7-1论文描述，MILC技术能够让垂直存储孔内创建单晶 14 微米长的「通心粉状」硅（Si）通道。

这种实验性3D NAND IC还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷，从而提高单元阵列性能。在不牺牲电池可靠性的前提下，读取噪声至少降低了40%，通道电导增加了10倍。

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