联发科加入台积电3纳米阵营，旗舰芯片2024年量产 ssd新闻存储新闻

2023-09-07

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联发科与台积电今（7）日共同宣布，联发科采用台积电3纳米制程生产天玑旗舰芯片，产品开发进度顺利，已成功完成设计定案并预计明年量产。

联发科总经理陈冠州表示，台积电稳定且高品质的制造能力，让联发科在旗舰芯片的设计得以充分展现，提供全球客户高性能、高能效且品质稳定的方案，并持续提升旗舰市场的使用者体验。

台积电3纳米制程技术不仅为高效能运算及行动应用提供完整平台支持，还拥有强化的效能、功耗及良率。相较于5纳米制程技术，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。

联发科表示，与台积电长期保持紧密且深度的战略合作关系，双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的优势，共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片，赋能全球终端装置与设备。

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