9月1日,三星电子宣布,成功开发业界首款采用12纳米制程技术打造的16GB DDR5 DRAM,并携手AMD完成产品的兼容性评估。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示,三星12纳米级DRAM将成为提升DDR5 DRAM市场普及率的关键动力。新款DRAM具备卓越的性能与能效,可望为新世代运算、数据中心、AI驱动系统等领域的永续营运奠定基石。AMD资深副总裁兼任企业研究员暨客户、运算与显卡技术长Joe Macri表示,创新有赖于同业伙伴的密切合作,携手推动技术发展,该公司很高兴与三星再次合作,尤其是推出在「Zen」平台上经过优化与验证的DDR5内存产品。此项技术进展的成功关键,在于采用可提升电池电容量的新型高介电(high-k)材料,以及可改善关键电路特性的专有设计技术。新款DRAM整合先进、多层极紫外光(EUV)微影制程,并具备业界最高的裸晶密度,可使晶圆生产率提升20%。在采用最新DDR5标准的优势下,三星12纳米级DRAM可提供高达7.2Gbps的传输速度。经换算,相当于能在1秒内处理两部30GB大小的UHD电影。
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