为抢攻这波AI浪潮带来的商机，存储大厂美光正全力布局高频宽存储（HBM）市场。

美光副总裁暨先进封装主管 Akshay Singh 表示，预估2022～2025年的整体HBM市场年复合成长率将可望超过五成，美光未来在整体位元出货比重将可望有一成是HBM，且明年1 beta制程的 HBM3 Gen2 将开始量产出货，全力争夺订单。

Akshay Singh 指出，在 ChatGPT 出现之后，AI正渗透到所有使用者周边，也变得相当广为人知，且未来AI除了现在的主要以文字为主的大型语言模型（LLM）之外，未来还会把语音、参数等数据导入到 LLM 当中，由于AI训练需要的存储大容量及高传输量都同步看增，使 HBM 需求开始大幅增加。

机构指出，从2022～2025年的 HBM 整体市场年复合成长率将达50％以上。AI需求当中的 HBM 容量将会是一般市场需求的五倍以上，预期未来几年美光在 HBM 位元出货量将可望占整体出货比重的一成水准。

美光推出的 HBM3 Gen 2 将会采用1 beta制程，当前已经在送样阶段，预计将在明年第1季开始放量出货，并将采用先进封装制程，让8层芯粒堆叠让一颗存储芯片就能有24Gb的容量，使其与一般存储面积尺寸几乎相同。

据了解，目前美光采用的8层堆叠模式是全球首创，优势在于堆叠层数越少，散热效率就可望越高，让芯片效能能够稳定发挥，且现在美光已经规划推出12层堆叠的36Gb DRAM 芯片，容量较先前8层堆叠可望提升50％，预期明年将可望对外亮相。

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