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大厂减产持续使库存去化，Q4存储价格预估乐观

2023-09-27
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据台媒《科技新报》报道，受惠存储大厂的持续减产，加上市场库存去化显现效益，预计在NAND Flash价格开始回温之后，DRAM价格也将随着涨价。显示存储厂商在经历有史以来最长的跌价周期之后，终于见到隧道的出口。

NAND Flash供应商为减少亏损的情况下，2023年以来已经进行多次减产，借此希望拉抬价格，停止价格的在继续往下探。如此动作开始奏效，市场传出NAND Flash的晶圆合约价于8月反弹，而且到9月也持续调涨，使得NAND Flash价格领先DRAM提早反弹。
其中，因为龙头三星为了亏损持续扩大而进行的持续减产动作，主要以128层堆叠以下的产品为主，使得9月份的产量减少近50%，带动了整体的市场跟着做出减产动作，使调整库存的效益展现，使得市场预估第四季NAND Flash价格还将继续上涨。市调机构也对第4季NAND Flash报价乐观，预估涨幅将约3%至8%，高于原先预估的0%至5%。
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DRAM方面，虽然较NAND Flash晚涨价，然而，随着大厂减产的效益展现，使得库存去化速度加快，逐渐回到健康水位的情况下，也预计跟着从第四季开始回涨，而且市场预计，这波的涨势将是下一个上升周期的起始点。
市场人士指出，DRAM这波的价格上涨，除了大厂减产、库存去化等因素之外，也与人工智能市场有关。原因是人工智能应用在数据中心市场需求的DDR5产能供应有限，因此在需求提升下，价格先一波上涨。另外，大厂陆续已经退出的DDR3，目前因为产能少，但仍有市场需求的情况下，成为涨幅较大的品项。
至于，当前主流的DDR4，虽然厂商努力清除大量库存，希望能进一步拉抬价格。然而，市场仍有不利的消息，就是英特尔新推出的Meteor Lake运算平台仅支持DDR5，不向下支持DD4，这对目前DDR4库存仍高的厂商来说，将成为另一压力。所以，接下来是否能顺利化解这不利因素，则有待观察。
总体来说，当前存储大厂的持续减产，让库存消化开始出现成效，也导致了价格的上扬。另外，配合市场需求等因素，市场预估涨价的效应将会持续，进一步延长这波涨价的时间。

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