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联电董事会今天通过资本预算执行案,预计投资金额达新台币324.17亿元,将主要建置南科晶圆12A厂P6厂区及新加坡P3厂。
联电指出,南科晶圆12A厂P6厂区与新加坡P3厂共计将投资100亿美元,逾新台币3千亿元,将于3~4年内完成投资。新加坡P3厂位于白沙芯片园(Pasir Ris Wafer Park),预计2025年量产,以22纳米及28纳米制程生产。因缺工缺料及机台交期长影响,量产时程将较规划的2024年底延迟超过一季。
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