三星携手美企提高3nm良率，要超车台积电？ ssd新闻存储新闻

三星携手美企提高3nm良率，要超车台积电？

2022-11-22

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韩国大厂三星2022年上半年最后一天抢先量产3nm制程芯片，却传出良率不超过20%，据韩媒《Naver》报道，三星已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作，希望藉此提高芯片在生产过程中的良率，能超车劲敌台积电。

报道指出，三星过往4nm和5nm制程都存在良率相关的问题，包括三星代工厂制造的高通旗舰处理器Snapdragon 888、Snapdragon 8 Gen1都过热，三星因此痛失大客户，像是高通新款Snapdragon 8 Gen 2全数独家由台积电拿下，英伟达RTX 4000系列GPU也以台积电5nm制程技术量产。

三星不希望3nm制程又出现上述这种情况，因此正扩大与Silicon Frontline Technology的合作关系。报道提到，Silicon Frontline Technology提供芯片资格评估和静电放电（ESD）预防技术，ESD是导致半导体芯片缺陷的一大原因，防止或减少ESD将有助于提高芯片良率。

报道称，三星将Silicon Frontline Technology技术应用于芯片设计和生产过程中，已取得令人满意的结果。三星如果设法提高先进制程的良率，结合其3纳米GAA架构，有机会与台积电一较高下，并夺回大客户订单。

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