比利时微电子研究中心(Imec)执行副总裁Jo De Boeck在日本国际半导体展(SEMICON Japan)说明摩尔定律的推进仍然有效。据今年参展设备业者透露,台积电的先进制程应会跟随Imec揭露的技术蓝图推进,2024年后进入2纳米世代,2028年进入10埃米世代。
设备商预期,台积电位于竹科宝山的Fab 20会是2纳米生产重镇,后续将会在台湾续建14埃米及10埃米晶圆厂,长线来看资本支出仍会维持上升趋势。Imec指出,未来10年仍可维持每2年微缩一个制程节点的速度前进,预期2026年将进入埃米(angstorm)时代,2032年透过晶体管结构创新可进入5埃米。有关摩尔定律是否有效的争论仍然存在,但随着极紫外光(EUV)的高数值孔径(High-NA)微影技术获得突破,逻辑芯片制程的微缩可望在未来10年维持每2年一个世代的步调推进。同时,配合晶体管架构的创新,imec预期先进制程可望在2032年进入5埃米世代,之后仍有机会往3埃米或2埃米方向发展。而随着埃米世代制程微缩,也需要新一代EUV微影技术及新世代材料支持。目前艾司摩尔(ASML)正与台积电、英特尔、三星等合作投入新一代High-NA的EUV技术开发,预期2025年后加强版2纳米可望先行试用,进入埃米世代后将会支持半导体厂量产。据业者提供资料,若以采用标准NA的14层EUV光罩层并加上2层ArF浸润式光罩层为计算基础,全数改用High-NA光罩层可望降低成本14%。至于制程进入CFET架构后,新世代材料会是良率及量产关键,导入二硫化钨(WS2)等2D材料会是可行方案。
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