应用材料束成像技术获重大突破，加速逻辑及存储芯片开发 ssd新闻存储新闻

应用材料束成像技术获重大突破，加速逻辑及存储芯片开发

2022-12-22

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据台媒《经济日报》报道，美商半导体大厂应用材料宣布，该公司创新的「冷场发射」（CFE）技术获重大突破，可在常温下工作，最多可将纳米级影像分辨率提高50%，成像速度提高10倍CFE电子束（eBeam）技术，协助芯片领导制造商加速开发和商品化新兴的3D闸极全环（GAA）逻辑晶体管以及次世代DRAM、NAND内存芯片。

应用材料进一步宣布，该公司推出两款新的CFE电子束产品：包括用于缺陷复检的SEMVision G10，和用于缺陷检查的PrimeVision 10，不仅协助晶圆制造业加速开发世界最先进芯片开发，也有扩大应材在电子束制程诊断和控制市场的领导地位。

应用材料指出，芯片制造商利用电子束技术来识别和描述那些用光学系统无法看到的小缺陷。随着芯片制造商运用极紫外光（EUV）光刻技术来突破2D逻辑和DRAM微缩的极限，并逐渐导入GAA逻辑晶体管和3D NAND 内存等复杂的3D架构，找出表面和埋藏缺陷的工作变得越来越具挑战性。而突破性的电子束成像分辨率和速度，可以帮助芯片制造商加速芯片的开发，并增加电子束技术在大量生产中的使用率。

应用材料表示，传统热场发射（thermal field emission，TFE）电子束系统的工作温度超过1500°C。物理学家们几10年来一直致力于将CFE电子束技术商业化，其原因在于较低的温度可以产生更窄的电子束并容纳更多电子，从而达成次纳米级的影像分辨率和10倍的成像速度。

到目前为止，由于CFE系统内部的杂质会在电子束发射器上积累，降低电子的流动性，这种不够稳定的情况造成CFE技术尚未普及在商业应用中；而在TFE系统中，这些杂质会自动被排除。现在，应用材料已达成两项重大突破，使CFE电子束系统能够广泛应用到大量生产中。

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