美光科技公司宣布开始批量生产第九代 (G9) TLC NAND 固态硬盘，标志着行业迈出重要一步。

G9 NAND的传输速度为3.6 GB/s。

提高个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心的AI和数据密集型应用的性能。

美光科技表示， G9 NAND的出货证明了美光在工艺技术和设计创新方面的专业。

G9 NAND的密度提高了73%。数据传输速度提高了50%。

还拥有高达99%的写入带宽和88%的读取带宽。

这些增强功能显著提高固态硬盘和嵌入式NAND解决方案的性能和能效。

G9 NAND采用紧凑的11.5毫米x13.5毫米封装，比竞争产品节省28%的空间，是目前最小的高密度NAND。

美光强调，连续第三代引领行业推出创新型NAND技术。集成美光G9 NAND的产品将比竞争解决方案提供显著性能优势。

Micron 2650 NVMe SSD采用G9 TLC NAND，在测试中超越竞争对手。

Micron 2650 SSD接近PCIe Gen 4的理论饱和水平，利用新 G9 NAND重新定义TLC客户端SSD可以实现的价值。

Micron 2650 NVMe SSD提供可靠性能，并具有加速缓存功能，可实现更快的写入速度，这得益于其动态SLC缓存。

实现了PCIe Gen 4高达7,000 MB/s的顺序读取性能，顺序读取性能提高了70%，顺序写入性能提高了103%，随机读取性能提高了156%，随机写入性能提高了85%。

这些指标凸显了Micron致力于推进技术和提供高性能解决方案的承诺。

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