市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中，DRAM内存去年底开始跌价，而NAND闪存去年初就开始跌跌不止，这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡，厂商的64层3D闪存产能量产了，但是智能手机等下游需求低了，导致NAND闪存价格降了50%。今年这个趋势还会继续下降，如果需求不振，NAND闪存价格还要再降50%。此外，今年虽然NAND厂商会量产96层堆栈的3D闪存，不过占比只有1/3左右，过半产能依然是64/72层堆栈的3D闪存。

某科技上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平。