10月20日消息,据《日刊工业新闻》报导,美国内存大厂美光计划投入8000亿日元(约近70亿美元) 于日本广岛县盖DRAM新工厂。报导指出,由于看好DRAM中长期需求畅旺,美光计划在日本广岛县现有工厂附近,兴建先进 DRAM 新工厂,投资金额高达8000亿日圆,预计 2024 年开始量产。据悉,美光将向日本政府申请一部份补助金来盖新DRAM厂。报导还指出,美光原本也有意在台湾或新加坡建造新厂,但因为地缘政治风险和供应商合作等事宜,新厂设址转向了日本广岛县。
美光CEO Sanjay Mehrotra 今年6月曾表示,愿意和日本政府合作强化日本半导体供应链,并特别提到愿意和日本企业合作开发第五代 DRAM 技术。
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