这次的可靠性测试，共包括老化测试，高温数据静置测试，休眠测试，重启测试，异常断电测试5项测试。下面，我们就看一下朗科NV2000的可靠性表现吧。

本次测试所用的平台，跟前期性能测试的平台一样，是个I3平台的老机子，测试样品共两块盘。

老化测试是利用BIT测试软件在一定的时间内对固态硬盘内部闪存芯片进行不间断的满盘擦写，并观察测试期间是否有芯片出现问题。

这里简单科普一下，因为闪存芯片是用电子来记录和表达数据的，而电子就保存在每个闪存单元的（floating gate）浮动栅极中。在floating gate和Substrate之间有一层很薄的氧化物层，电子进到浮动栅极后不能随便移动，只有保持住电子不流失，闪存才能正确的记录数据。

但是在反复的写入和擦除过程中，氧化物层逐渐变薄，渐渐困不住活跃的电子，当电子活跃度超出主控纠错能力范围的时候，芯片读写上就会出现报错。一般来说，读写数据量越大，盘承受的负荷越大，出现报错的几率越大。

在本次测试中，BIT软件设置是每次写入磁盘总容量15%，负荷最大100，不间断擦写测试时间为3天。最终结果显示，本次老化测试顺利通过，盘内共进行635次擦写循环。

这款NV2000的实际容量是476.94GB，每次写入的量为71.5GB，共写入数据量约45TB，这意味着什么呢？

如果你是一个硬盘重度使用者，硬盘的每日写入量约250GB左右，那么45TB 相当于181.6天的硬盘写入量，折合下来约半年，在三天这么短的时间内疯狂写入大量的数据，并且测试全程没有报错，由此可见，朗科NV2000的抗老化能力相当强。

基于英特尔、JEDEC等企业和组织的说明，高温会加速闪存漏电的速度，我们可以尝试用高温烘烤的方式来加速模拟固态硬盘断电后的数据保存情况。

在朗科NV2000盘内装入电脑系统、图片、视频等文件，放进温度调至110℃

的全密闭烘烤设备箱内，静置三个小时。（朗科NV2000的数据存储温度是-40℃到85℃，高温设备箱的温度远远高于官方温度）

测试结束后，我们将朗科NV2000重新装到平台上，开机，打开图片、视频等文件，动作一气呵成，文件打开非常顺利。

这说明在110摄氏度高温下，闪存并未发生漏电情况，NV2000里面的数据保存的很好。

电脑在日常使用的时候，都会经历休眠，重启、异常断电等情况，这些情况的频繁发生，会导致整体硬件系统性能下降，数据读取会出现问题，严重会造成数据丢失的后果。而呈现在我们眼前的就是开机失败、死机、卡顿、蓝屏等画面。

为了更好的模拟这些情况对固态内部数据的影响，我们把电脑系统连同测试软件，一并装入到朗科NV2000中，给NV2000安排上这些测试。一般来说，出厂测试的标准是500次，我们的测试标准是3000次，在高强度的测试下，NV2000的稳定性和数据保护能力如何呢？现在来看一下结果吧。

3000次休眠测试

3天的3000次的休眠测试，期间Sleeper软件并无报错，每次休眠后醒机都可以正常进入系统桌面，测试通过。

3000次重启测试

3天3000次的电脑系统重启均成功，并未出现蓝屏、卡顿等问题，重启测试完美通过。

3000次异常断电

耗时四天的断电测试过去了，测试软件没有出现任何报错，程序自带的视频播放顺畅无卡顿，两块盘均显示PASS，产品轻松通过考验，数据保护能力值得一赞。

做了这么多的虐盘测试，我们现在来看看内部芯片的情况吧。从H2的测试情况来看，整个盘芯片实际可用空间大小依旧是488224MB，全盘可用，未出现坏块。

那我们再来跑个CDM，看看虐盘前后的连续读写速度有什么变化。通常来说，高压的测试环境过后，盘的连续读写速度会出现一定的程度的下降。

但对比前后的数据，发现其中一块盘，在经历了高压测试后，连续读写速度居然比虐盘前还好一点，这难道是所谓的越战越勇？捂嘴偷笑。

经过将近半个月的高压测试，可以发现朗科NV2000对于长时间的读写、高温环境以及频繁多次的日常使用那都是洒洒水啦，同时也可以侧面看出芯片的抗老化能力和数据保护能力也是十分的强悍，是一款可靠并值得信赖的NVMe M.2固态硬盘。

不仅如此，朗科NV2000容量有256GB、512GB、1TB三个容量，为了让大家用得更加放心，朗科官方还贴心的提供了5年的质保服务。对于价格，这里就不说了，感兴趣的朋友可以去某东朗科官方旗舰店瞧一眼。

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