据闪德资讯获悉，AI推理需求持续增长，带动企业级SSD需求升温。市场预估，2026年企业级SSD相关位元需求增幅将超过80%，成为NAND Flash的重要增长动能。在需求拉动下，国际存储大厂正加快制程升级与产能布局，2027年供给增量值得关注。

三星正推进286层V9 NAND制程，月产出目标据称将从2026年底的约5,000片，提高至2027年底的4万片。

SK海力士则规划大连厂从192层转向240层以上产品，并提高韩国厂区321层NAND的生产比重，目标是2026年底占韩国NAND产能约一半。不过，新建M17厂首座无尘室预计2028年12月启用，短期供给增量仍主要依赖既有产线升级。

美光下一代NAND制程规划于2027年下半年量产，新加坡新厂预计2028年下半年开始产出，意味着2027年新增供给仍将以制程升级为主。

日本方面，铠侠与Sandisk合资的北上K2厂已于2026年7月开始生产第10代3D Flash，后续产能爬坡将成为供给变化的重要观察点。

整体来看，NAND扩产正同步推进制程升级、堆叠层数提升与新厂建设，但新增供给不等于所有产品都会同步宽松。 随着AI储存需求与PC、手机市场需求出现分化，2027年供需何时转松，仍取决于各厂扩产进度及实际需求变化。

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