据闪德资讯获悉，随着AI服务器及HBM需求持续增长，全球存储厂商正加速布局先进制程。近日，蔡司韩国新任法人长表示，公司已针对三星电子、SK海力士在韩国推进的晶圆厂投资完成相关准备，并将重点布局High-NA EUV所需的高精度光学系统及量测设备。

High-NA EUV可将光刻系统的数值孔径从0.33提升至0.55，进一步提高光刻分辨率，为先进DRAM制程微缩提供技术支持。业内预计，该技术未来两三年有望逐步进入量产阶段。

蔡司提前布局，反映出三星、SK海力士等存储巨头正为下一代DRAM及HBM制程进行设备和供应链准备。随着DRAM制程持续演进，行业竞争也将从产能比拼，进一步延伸至光刻、量测、工艺整合及良率控制等综合能力。

短期来看，High-NA EUV尚不会直接改变DRAM供需格局，但先进制程投资仍在持续。未来，若三星、SK海力士及美光进一步将先进产能向HBM和服务器DRAM倾斜，传统DRAM新增供应可能受到一定限制。

对于国产存储厂商而言，先进制程仍存在追赶空间。未来能否持续推进DRAM节点升级、提高良率，并扩大DDR5、服务器内存及HBM等高端产品的市场份额，将成为影响全球DRAM竞争格局的重要因素。

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