闪德资讯获悉，据业内人士29日透露，三星电子2nm（SF2）工艺良率已提升至近60%，高于此前市场预期的50%左右。

数据显示，该工艺良率去年年中约为30%，今年1月升至50%左右，8月进一步达到约55%。

SF2是三星首款采用2nm工艺并引入GAA（环绕栅极）结构的制程，其首款量产产品为移动处理器Exynos 2600，已应用于部分Galaxy S26系列机型。三星还通过采用铜质散热块（HPB），使芯片散热性能提升约30%。

不过，部分海外测试显示，Exynos 2600在执行相同任务时功耗高于高通最新骁龙产品，引发市场对其能效表现的关注。

为进一步改善性能，三星正推进第二代2nm工艺“SF2P”，据报道其相比SF2性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%。

随着SF2良率持续提升，三星晶圆代工业务正将重点转向量产后的性能稳定性，尤其是发热和功耗等指标。

与此同时，三星正通过与潜在客户沟通验证工艺可靠性，为争取大型无晶圆厂客户订单做准备，并计划以明年特斯拉2nm芯片订单作为进一步拓展的切入点。

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