闪德资讯获悉，据三星电子高层近日表示，随着人工智能（AI）算力需求持续增长，全球高带宽存储器（HBM）扩产步伐正在加快。预计明年HBM将占全球DRAM芯片制造商整体晶圆产能的近30%，高于目前约20%。

需要注意的是，这一数据反映的是行业整体产能配置趋势，并非三星单一企业的生产安排。

随着AI服务器对高带宽、高容量内存的需求持续增长，DRAM厂商正加快将有限的晶圆资源转向HBM等高附加值产品。

这意味着，HBM需求增长带来的不仅是自身产能扩张，也通过产能重新分配，对通用DRAM形成一定“挤出效应”。

从三星自身来看，这一趋势更加明显。据KB证券分析师估算，三星DRAM晶圆产能中，HBM占比今年约为33%，明年可能进一步升至40%左右。

另据产业链信息，三星计划将HBM晶圆月进料量从2026年的约18万片提升至2027年的约25万片，增幅约40%。

据行业研究机构数据，2026年全球HBM市场规模预计达到约546亿美元，同比增长约58%。单台AI服务器对DRAM的搭载需求量约为传统服务器的8至10倍，这使得HBM成为大模型训练与推理环节不可或缺的核心硬件。

因此，在DRAM整体晶圆产能有限的情况下，HBM持续扩产客观上将进一步收窄通用DRAM的供给弹性，后续供需变化值得市场持续关注。

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